МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ і науки УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА" ПРОЕКТУВАННЯ ПІДСИЛЮВАЧІВ НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ методичні вказівки до курсової роботи з дисципліни "Аналогові електронні пристрої” для студентів базового напрямку 6.0907 – “Радіотехніка” Затверджено на засіданні кафедри радіоелектронних пристроїв та систем Протокол № 12 від 12 травня 2005 р. Львів, 2005  Проектування підсилювачів низької частоти. - Методичні вказівки до курсової роботи з дисципліни "Аналогові електронні пристрої" для студентів базового напрямку 6.0907 - “ Радіотехніка”, / Уклали: І.І. Блажкевич, В.І. Шклярський. - Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. - 106 с. Укладачі: І.І. Блажкевич, канд. техн. наук, доц. В.І. Шклярський, канд. техн. наук, доц. Відповідальний за випуск: З.Д. Грицьків, д-р техн. наук, проф. Рецензенти: М.В. Мелень, канд. техн. наук, доц. каф. ТРР, Р.В. Проць, канд. техн. наук, доц. Каф. РЕПС. Зміст Перелік основних умовних позначень, символів, одиниць, скорочень і термінів АЧХ –амплітудно-частотна характеристика; БТ – біполярний транзистор; ВЗЗ – від’ємний зворотний зв’язок; ВП – витіковий повторював; ДК – диференційний каскад; ЕП – емітерний повторював; ОП – операційний підсилювач; ПНЧ – підсилювач низької частоти; ПТ – польовий транзистор; СБ – спільна база; СВ – спільний витік; СЕ – спільний емітер; СЗ – спільний заслін; СС – спільний стік; ТК – температурний коефіцієнт; СВХ – вхідна ємність каскаду; СЕ – ємність емітерного переходу; СК – ємність колекторного переходу; СМ – ємність монтажу; СН – ємність навантаження; ЕБ – напруга на базі транзистора відносно загальної шини; ЕЕ – напруга на емітері транзистора відносно загальної шини; ЕЖ – напруга живлення; ЕК – напруга на колекторі транзистора відносно загальної шини; FВ – верхня гранична частота підсилення підсилювача; FГР – гранична частота підсилення транзистора; FН – нижня гранична частота підсилення підсилювача; h11Е – вхідний опір транзистора, ввімкненого за схемою зі спільним емітером; h21Е – коефіцієнт підсилення транзистора за струмом; ІБ0 – струм бази біполярного транзистора в статичному режимі; ІКБ0 – зворотний струм переходу база-колектор біполярного транзистора; ІКД – максимально допустимий струм колектора біполярного транзистора; ІК0 – струм колектора біполярного транзистора в статичному режимі; ІC0– струм стоку польового транзистора в статичному режимі; МВ – допустимі частотні спотворення на верхній граничній частоті у відносних одиницях; МВДБ– допустимі частотні спотворення на верхній граничній частоті у децибелах; МН – допустимі частотні спотворення на нижній граничній частоті у відносних одиницях; МНДБ – допустимі частотні спотворення на нижній граничній частоті у децибелах; РК – потужність, яка розсіюється на колекторі біполярного транзистора; РКД – максимально допустима потужність, яка розсіюється на колекторі транзистора; Р0– потужність, яка споживається від джерела живлення; RДЖ – внутрішній опір джерела сигналу; RВИХ – вихідний опір каскаду; RВХ – вхідний опір каскаду; RН – опір зовнішнього навантаження; UБЕО – напруга між базою та емітером в статичному режимі; UВИХ – амплітуда напруги вихідного сигналу; UВХ – амплітуда напруги вхідного сигналу; UДЖ – амплітуда напруги джерела сигналу; UКЕ0 – напруга між колектором та емітером в статичному режимі; UКД – максимально допустима напруга переходу колектор - емітер біполярного транзистора; UКН – напруга між колектором та емітером в режимі насичення; UН – напруга сигналу на навантаженні; А – ампер; В – вольт; Гц – герц; кГц – кілогерц, 1 кГц = 103 Гц; кОм – кілоом, 1 кОм = 103 Ом; мА – міліампер, 1 мА = 10-3 А; мВ – мілівольт, 1 мВ = 10-3 В; мкА – мікроампер, 1 мкА = 10-6 А; мкВ – мікровольт, 1 мкВ = 10-6 В; мкФ – мікрофарада, 1 мкФ = 10-6 Ф; МГц – мегагерц...